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氧化鎵單晶襯底片及外延片

提供日本NCT高品質氧化鎵單晶襯底片及外延片

晶體生長設備

提供日本進口晶體生長爐，可實現EFG倒模提拉法生長超寬禁帶單晶半導體材料

全自動晶片倒角設備

提供日本進口全自動晶片倒角設備，可實現更高精度的晶圓倒角要求

全自動晶片減薄設備

提供日本進口全自動晶片減薄設備，可滿足客戶不同減薄需求的全自動量產設備

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ABOUT US

?天津市萬德思諾國際貿易有限公司成立于2019年5月17日，公司秉承“引進尖端技術、服務本土客戶”的理念，主要代理銷售日本及歐美等國第三代半導體領域（碳化硅、氮化鎵等）的先進材料和尖端設備，致力于服務國內各大高校、研究單位和半導體行業客戶。公司創始人核心團隊成員均具有15年以上相關從業經歷，特別是在寬禁帶半導體行業具有豐富的經驗和資源。

自公司成立以來團隊開始積極布局和銷售第四代半導體領域（氧化鎵）的相關材料和設備，不斷整合行業技術資源并融合本公司的專業技術和售后團隊，竭誠為每一位客戶提供優質的全產業化方案以及專業的技術支持和優質的售后服務。

萬德思諾致力于成為寬禁帶半導體行業設備及材料專業供應商！

Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!

核心競爭力

Core Competitiveness

核心技術

提供全球領先的寬禁帶半導體領域關鍵材料和設備。
資源整合

深耕化合物集寬禁帶半導體行業，提供全產業鏈的材料和設備解決方案。
一站式服務

提供詳細的售前技術咨詢服務，可安排免費的樣品測試。多樣化的交易方式，滿足不同客戶采購要求。提供設備的安裝、保養、維修、升級等一站式服務。
專業團隊

公司研發人員長期從業于半導體行業，有豐富的設備使用、安裝、調試經驗，從專業角度為您提供專業服務。
成本優勢

從技術方案到生產線運營管理，公司有完整的科學的成本管控方案，從多角度為客戶打造最優方案。

新聞動態

News Center

2025-09-26 10:50:39

日本NCT氧化鎵研究課題入選日本防衛裝備廳2025年度安全保障技術研究推進制度

課題聚焦于高耐壓應用的 β-Ga2O3 高純度厚膜外延襯底制備技術及器件外圍結構設計，力求實現耐壓 15 kV 的 β-Ga2O3 晶體管的工作驗證。

2025-09-26 10:46:18

深圳平湖實驗室最新進展：β銠合金氧化鎵p型導電的可行性研究

本研究證實 β-(RhxGa1−x)2O3 合金實現 p 型摻雜具有可行性，基于該材料構建的 p-n 同質結有望顯著拓展合金氧化物的應用領域。

2025-09-26 10:38:16

【J.Semicond.】電子科技大學&武漢大學合作研究：氟等離子體與電熱退火協同調控Ni/β-Ga?O?肖特基接觸界面特性

揭示了氟等離子體處理降低肖特基勢壘的物理機制，提出并驗證了電熱退火（ETA）作為一種局部選擇性退火技術，可高效修復界面缺陷并調控肖特基勢壘高度。

2025-09-26 10:30:05

廈門大學龍浩課題組在Ga?O?界面控制、表征及光電器件研究中取得系列進展

廈門大學龍浩副教授課題組在 Ga2O3 光電器件的界面調控方面取得系列進展，為進一步理解 Ga2O3 界面機制提供思路。

2025-09-26 10:17:20

內蒙古工業大學：通過LPCVD與PECVD協同工藝制備β-Ga?O?薄膜，用于高靈敏、低劑量直接X射線探測

本文采用 LPCVD 和 PECVD 技術在 c 面藍寶石襯底上外延生長了 β-Ga2O3 薄膜，并制備了 MSM 型 X 射線探測器。

2025-09-26 10:07:53

浙江大學聯合浙大科創中心楊德仁院士的研究團隊：鑄造法 β-Ga?O? (100) 面缺陷的電子特性：現象與機理

研究加深了對 β-Ga2O3 襯底中缺陷誘導電子行為的理解，闡明了其對電學特性的影響，并為優化晶體生長和提升功率器件性能提供了關鍵指導。